Авторизоваться
Для зарегистрированных пользователей

Рассматриваются экситоны, образованные электронами и дырками, расположенными в разных, близко расположенных полупроводниковых нановолокнах (пространственно непрямые экситоны). Были рассчитаны плотности заряда и энергии связи экситонов для различных диаметров нановолокна D и расстояний h между волокнами. Представлены оценки времени жизни экситонов, эти результаты показывают, что при определенных h и D пространственно непрямые экситоны в массивах нановолокон могут потенциально служить блоками обработки информации. Обсуждаются возможные способы генерации экситонов в массивах нановолокон